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更新时间:2022-05-26 07:38
首页 > 产品中心 > 常州鼎先电子有限公司 > ESD器件 > 单向瞬变二极管,静电保护管 CESD3V3D3 CESD5V0D3 CESD12VD3
  • CESD3V3D3 CESD5V0D3 CESD12VD3
    封装:CESD3V3D3 CESD5V0D3 CESD12VD3
  • 264次
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  • 在产
    生命周期:在产
  • 2021年
    发布时间:2021
  • 0.10
    参考价格: 0.10

单向瞬变二极管,静电保护管 CESD3V3D3 CESD5V0D3 CESD12VD3 厂家介绍

供应商名称:常州鼎先电子有限公司

一言九鼎,顾客为先!     常州鼎先电子有限公司是一家致力于瞬态电压抑制器和功率器件设计、制造和销售的半导体技术公司。   我司拥有业界的半导体技术,我司的高性能瞬态电压抑制器产品系列在漏电、电容和钳位电压等关键性能指标上达到国际同等水平。经验丰富的团队可以在短时间内提供出高性能、质量可靠的电路保护系列产品,并通过与周边晶圆和封装制造商的紧密合作来加快产品研发和投产速度,降低成本,以时间将具有强竞争力的产品推向市场。   公司拥有设计工程师可以为客户提供全套的电路保护方案及测试验证和整改服务。符合 标准建设的EMS实验室和可靠性实验室,促进客户方案设计,缩短客户产品研发周期。在电信、电能设备等行业我们有丰富的EMC测试及解决方案。   我们不仅提供合格的产品,提供良好的服务。因为我们相信唯有客户满意,才有达成永续经营的保证。如此一来才使我们鼎先能在激烈竞争的半导体防护器件领域中不断进步。让我们微小的器件成为你品质的后一块拼图,合作共羸,共创美好未来。   主营范围: ESD保护器件(包括瞬态电压浪涌抑制器(TVS)、箝位二极管和阵列ESD Array以及TVS Diode)着重实现: 符合IEC 61000-4-2规范的要求 利用低箝位电压保证保护效率 利用低泄漏电流保证保护可靠性 利用超低电容和超高带宽保证信号完整性。 提供标准封装和高级封装选项(包括单/多线、小型、扁平和流通封装),从而优化了空间约束。

单向瞬变二极管,静电保护管 CESD3V3D3 CESD5V0D3 CESD12VD3 资料规格参数

参数列表
技术参数
350W 3.3V 5V 12V
封装参数
SOD323
外形尺寸
0805
符合标准
行业标准
其他参数
ROHS
产品图册
单向瞬变二极管,静电保护管相册
单向瞬变二极管,静电保护管相册
产品概述

CESD3V3D3 CESD5V0D3 CESD12VD3

CESD3V3D3单向瞬变二极管,静电保护管3.3VUni-direction ESD Protection Diode

设计用于保护电压敏感电子元件不受静电放电和其他影响瞬变的ESD二极管

产品信息

设计用于保护电压敏感电子元件不受静电放电和其他影响瞬变。良好的夹紧能力,低泄漏,快速响应时间对于暴露于静电的设计,具有合理的等级保护。体积小、防静电等级高的组合,使其具有一定的灵活性解决方案为应用程序,如HDMI,显示端口TM,和MDDI接口。它是设计用于在消费设备应用中取代多层压敏电阻器(MLV)如手机、笔记本、PADSTB、液晶电视等

CESD3V3D3特点

单线单向ESD保护

反向_关断电压:3.3V

低反向箝位电压小于13V@IPP16A

低漏电流1uA

寄生电容120 pF

小体积:1.70mm×1.30mm×1.00mm

快速响应时间

JESD22-A114-B ESD

IEC 61000-4-2 Level 4 ESD 保护CESD3V3 (3).jpg

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单向瞬变二极管,静电保护管 CESD3V3D3 CESD5V0D3 CESD12VD3 数据手册

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