简介： P沟道MOS管是指n型衬管底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。mos管工作原理及详解：P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为衔接源极和漏极的沟道。mos管的作用：有优良的开关性能，开关速度较三极管更快，所以主要作用于电源或者驱动方面。场效应管与mos管区别：MOS管是场效应管中的一类。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化

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