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变频器芯片

变频器芯片相关分类：主动器件 / 二极管 / 逻辑芯片 / 电源管理 / 肖特基二极管 / 整流二极管 / 小信号二极管 / 与门芯片 /

简介：使用AGC电路保证信号幅度不变各芯片内部都有滑动窗口的设置以适应不同的输入信号电平，相关峰检测门限值大小的选取也与输入信号电平密切相关。在一定输入信号幅度下，设计好以几个相关参数后，就只能在一定的输入电平下运作，因此，在AD之前要有AGC电路。AFC的使用在电路的调试过程中，首先不要使用ACF功能，以免使用不当产生不好的形响，其余部分都能稳定工作后，再调试AFC环路。解调器检测出频差信息可直接反馈给数字下变频器构成人FC环路，也可将频差信息读入MUP处理器，之后再通过MUP对数字下变频器的寄存器控制实现AFC功能，

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下变频 HG155VA 成都华光瑞芯微电子股份有限公司上、下变频器芯片

关键指标射频&amp;本振频率：0.4～1.2GHz 中频频率：DC～0.4GHz 本振功率：13dBm 变频损耗：10dB LO/RF 隔离度：50dB 芯片尺寸：2.05mm×1.25mm 详细参数...

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上下变频 HG153N1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司上、下变频器芯片

关键指标射频&amp;本振频率：0.4～1.2GHz 中频频率：DC～0.4GHz 本振功率：13dBm 变频损耗：10dB LO/RF 隔离度：50dB 芯片尺寸：2.05mm×1.24mm 详细参数...

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下变频 HG133V-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司上、下变频器芯片

关键指标射频&amp;本振频率：0.4～1.2GHz 中频频率：DC～0.4GHz 本振功率：13dBm 变频损耗：10dB LO/RF 隔离度：50dB 芯片尺寸：2.05mm×1.23mm 详细参数...

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上变频 HG133U-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司上、下变频器芯片

关键指标射频&amp;本振频率：0.4～1.2GHz 中频频率：DC～0.4GHz 本振功率：13dBm 变频损耗：10dB LO/RF 隔离度：50dB 芯片尺寸：2.05mm×1.22mm 详细参数...

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下变频 HG143VA 成都华光瑞芯微电子股份有限公司上、下变频器芯片

关键指标射频&amp;本振频率：0.4～1.2GHz 中频频率：DC～0.4GHz 本振功率：13dBm 变频损耗：10dB LO/RF 隔离度：50dB 芯片尺寸：2.05mm×1.21mm 详细参数...

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混频器 HG128HC 成都华光瑞芯微电子股份有限公司混频器芯片

关键指标射频&amp;本振频率：0.4～1.2GHz 中频频率：DC～0.4GHz 本振功率：13dBm 变频损耗：10dB LO/RF 隔离度：50dB 芯片尺寸：2.05mm×1.20mm 详细参数...

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混频器 HG128HB 成都华光瑞芯微电子股份有限公司混频器芯片

关键指标射频&amp;本振频率：0.4～1.2GHz 中频频率：DC～0.4GHz 本振功率：13dBm 变频损耗：10dB LO/RF 隔离度：50dB 芯片尺寸：2.05mm×1.19mm 详细参数...

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混频器 HG128HA 成都华光瑞芯微电子股份有限公司混频器芯片

关键指标射频&amp;本振频率：0.4～1.2GHz 中频频率：DC～0.4GHz 本振功率：13dBm 变频损耗：10dB LO/RF 隔离度：50dB 芯片尺寸：2.05mm×1.18mm 详细参数...

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混频器 HG125H-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司混频器芯片

关键指标射频&amp;本振频率：0.4～1.2GHz 中频频率：DC～0.4GHz 本振功率：13dBm 变频损耗：10dB LO/RF 隔离度：50dB 芯片尺寸：2.05mm×1.17mm 详细参数...

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混频器 HG126HB 成都华光瑞芯微电子股份有限公司混频器芯片

关键指标射频&amp;本振频率：0.4～1.2GHz 中频频率：DC～0.4GHz 本振功率：13dBm 变频损耗：10dB LO/RF 隔离度：50dB 芯片尺寸：2.05mm×1.16mm 详细参数...

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