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多功能芯片

多功能芯片相关分类：主动器件 / 二极管 / 逻辑芯片 / 电源管理 / 肖特基二极管 / 整流二极管 / 小信号二极管 / 与门芯片 /

简介：时钟芯片是一种高性能、低功耗、带RAM的实时时钟电路，时钟芯片可以对年、月、日、周日、时、分、秒运行计时，具有闰年补偿功能，工作电压为2.5V～5.5V。它使用三线接口与CPU运行同步通信，并可使用突发方式一次传送多个字节的时钟信号或RAM数值。数据输入输出(I/O) 　　在控制指令字输入后的下一个SCLK时钟的上升沿时，数据被写入DS1302，数据输入从低位即位0开始。同样，在紧跟8位的控制指令字后的下一个SCLK脉冲的下降沿读出DS1302的数据，读出数据时从低位0位到高位7。

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多功能芯片 HG133NB-SC 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.13mm 详细参数...

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多功能芯片 HG133NB 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.12mm 详细参数...

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多功能芯片 HG152NA 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.11mm 详细参数...

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多功能芯片 HG155N3 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.10mm 详细参数...

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多功能芯片 HG155N2 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.9mm 详细参数...

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多功能芯片 HG155NF 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.8mm 详细参数...

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多功能芯片 HG154NB 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.7mm 详细参数...

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多功能芯片 HG154NA 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.6mm 详细参数...

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多功能芯片 HG144ND 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.5mm 详细参数...

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多功能芯片 HG134N-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.4mm 详细参数...

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