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IGBT晶体管

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简介： IGBT晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。igbt的作用是什么：非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT工作原理：IGBT是

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IGBT绝缘栅双极型晶体管 SGT15T60QD1S 杭州士兰微电子股份有限公司 IGBT晶体管

15A600V 详细参数...

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IGBT绝缘栅双极型晶体管 SGT15T60SD1T(F)(S) 杭州士兰微电子股份有限公司 IGBT晶体管

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IGBT绝缘栅双极型晶体管 SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN)(T) 杭州士兰微电子股份有限公司 IGBT晶体管

20600V 详细参数...

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IGBT绝缘栅双极型晶体管 SGT20T60SDM1P7 杭州士兰微电子股份有限公司 IGBT晶体管

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IGBT绝缘栅双极型晶体管 SGT30T60SDM1P7 杭州士兰微电子股份有限公司 IGBT晶体管

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IGBT绝缘栅双极型晶体管 SGT40N60NPFDPN 杭州士兰微电子股份有限公司 IGBT晶体管

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IGBT绝缘栅双极型晶体管 SGT40N60FD2PN(P7)(PT) 杭州士兰微电子股份有限公司 IGBT晶体管

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IGBT绝缘栅双极型晶体管 SGT40N60FD3PF 杭州士兰微电子股份有限公司 IGBT晶体管

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IGBT绝缘栅双极型晶体管 SGT60N60FD1PN(P7)(PS) 杭州士兰微电子股份有限公司 IGBT晶体管

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IGBT绝缘栅双极型晶体管 SGT75T60SDM1P7 杭州士兰微电子股份有限公司 IGBT晶体管

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