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更新时间:2025-08-05 14:08
首页 > 产品中心 > 常州鼎先电子有限公司 > ESD器件 > DFN1006静电防护器件DC0521P1,DL0501P1 DC0521P1,DL0501P1
  • DC0521P1,DL0501P1
    封装:DC0521P1,DL0501P1
  • 808次
    浏览器次数:808次
  • 在产
    生命周期:在产
  • 2021年
    发布时间:2021
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DFN1006静电防护器件DC0521P1,DL0501P1 DC0521P1,DL0501P1 厂家介绍

供应商名称:常州鼎先电子有限公司

一言九鼎,顾客为先!     常州鼎先电子有限公司是一家致力于瞬态电压抑制器和功率器件设计、制造和销售的半导体技术公司。   我司拥有业界的半导体技术,我司的高性能瞬态电压抑制器产品系列在漏电、电容和钳位电压等关键性能指标上达到国际同等水平。经验丰富的团队可以在短时间内提供出高性能、质量可靠的电路保护系列产品,并通过与周边晶圆和封装制造商的紧密合作来加快产品研发和投产速度,降低成本,以时间将具有强竞争力的产品推向市场。   公司拥有设计工程师可以为客户提供全套的电路保护方案及测试验证和整改服务。符合 标准建设的EMS实验室和可靠性实验室,促进客户方案设计,缩短客户产品研发周期。在电信、电能设备等行业我们有丰富的EMC测试及解决方案。   我们不仅提供合格的产品,提供良好的服务。因为我们相信唯有客户满意,才有达成永续经营的保证。如此一来才使我们鼎先能在激烈竞争的半导体防护器件领域中不断进步。让我们微小的器件成为你品质的后一块拼图,合作共羸,共创美好未来。   主营范围: ESD保护器件(包括瞬态电压浪涌抑制器(TVS)、箝位二极管和阵列ESD Array以及TVS Diode)着重实现: 符合IEC 61000-4-2规范的要求 利用低箝位电压保证保护效率 利用低泄漏电流保证保护可靠性 利用超低电容和超高带宽保证信号完整性。 提供标准封装和高级封装选项(包括单/多线、小型、扁平和流通封装),从而优化了空间约束。

DFN1006静电防护器件DC0521P1,DL0501P1 DC0521P1,DL0501P1 资料规格参数

参数列表
技术参数
封装参数
外形尺寸
符合标准
其他参数
产品图册
DFN1006静电防护器件DC0521P1,DL0501P1相册
DFN1006静电防护器件DC0521P1,DL0501P1相册
产品概述


低电容瞬态电压抑制器二极管DL0521P1  DL0521P0

DFN1006 单路低电容ESD 二极管 
DL0521P1 是一个功率100W,4A,5.0V 低电容0.5pF 单路双向二极管ESD保护。
    封装:DFN1006/SLP1006P2/0402  10K/盘
   
    特点:
    功率100W IPP 4A
    工作电压:5.0 V
    单路双向保护;
    低电容(<0.5 pF)高速接口;
    低箝位电压:25V;
    低漏电流;1nA
    
    主要应用:
    高速线:USB1.0/2.0,VGA,DVI,SDI,
    串行和并行端口
    笔记本、台式机、服务器
    投影电视
    手机及配件
    便携式仪器

Trans Voltage Suppressor Diode, 100W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, 1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ULTRA SMALL, PLASTIC, SLP1006P2, 2 PIN

瞬态电压抑制器二极管可防止过电压损坏敏感电子元件。 由于其紧凑型封装,  瞬态电压抑制器二极管特别适用于如下应用:手机、LCD、USB 2.0/OTG、MMC 接口、SD 卡接口、MDDI 端口、SIM 端口、键盘和千兆位以太网。DFN1006-21.jpgDFN0603-2.jpgDFN1006 21.jpg

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