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更新时间:2022-03-12 10:47
首页 > 产品中心 > 常州鼎先电子有限公司 > ESD器件 > 低电容集成阵列TVS二极管-ESD静电抑制器 GBLC08C BV08C
  • GBLC08C BV08C
    封装:GBLC08C BV08C
  • 272次
    浏览器次数:272次
  • 在产
    生命周期:在产
  • 2021年
    发布时间:2021
  • 0.15
    参考价格: 0.15

低电容集成阵列TVS二极管-ESD静电抑制器 GBLC08C BV08C 厂家介绍

供应商名称:常州鼎先电子有限公司

一言九鼎,顾客为先!     常州鼎先电子有限公司是一家致力于瞬态电压抑制器和功率器件设计、制造和销售的半导体技术公司。   我司拥有业界的半导体技术,我司的高性能瞬态电压抑制器产品系列在漏电、电容和钳位电压等关键性能指标上达到国际同等水平。经验丰富的团队可以在短时间内提供出高性能、质量可靠的电路保护系列产品,并通过与周边晶圆和封装制造商的紧密合作来加快产品研发和投产速度,降低成本,以时间将具有强竞争力的产品推向市场。   公司拥有设计工程师可以为客户提供全套的电路保护方案及测试验证和整改服务。符合 标准建设的EMS实验室和可靠性实验室,促进客户方案设计,缩短客户产品研发周期。在电信、电能设备等行业我们有丰富的EMC测试及解决方案。   我们不仅提供合格的产品,提供良好的服务。因为我们相信唯有客户满意,才有达成永续经营的保证。如此一来才使我们鼎先能在激烈竞争的半导体防护器件领域中不断进步。让我们微小的器件成为你品质的后一块拼图,合作共羸,共创美好未来。   主营范围: ESD保护器件(包括瞬态电压浪涌抑制器(TVS)、箝位二极管和阵列ESD Array以及TVS Diode)着重实现: 符合IEC 61000-4-2规范的要求 利用低箝位电压保证保护效率 利用低泄漏电流保证保护可靠性 利用超低电容和超高带宽保证信号完整性。 提供标准封装和高级封装选项(包括单/多线、小型、扁平和流通封装),从而优化了空间约束。

低电容集成阵列TVS二极管-ESD静电抑制器 GBLC08C BV08C 资料规格参数

参数列表
技术参数
ESD 8V 1.5PF
封装参数
SOD323
外形尺寸
0805
符合标准
企业标准
其他参数
产品图册
低电容集成阵列TVS二极管-ESD静电抑制器相册
低电容集成阵列TVS二极管-ESD静电抑制器相册
产品概述

GBLC08C 低电容集成阵列TVS二极管-ESD静电抑制器-BV08C-低电容TVS

产品特性:

1、浪涌额定功率:350Watt       

2、封装形式:标准SOD-323封装        

3、环保要求:符合RoHSReach等环保要求;       

4、产品优点:结电容低至1.5pF、响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小

5、包装方式:盘装   3000PCS/

 产品常规电性参数表: 

Part Number

Marking

VDRM

(V)

IDRMMax.

(uA)

VBR Min.

(V)

IR

(mA)

Vc

(V)

Ipp

(A)

Co

(pF)

GBLC08C 

BC

8.0

2.0

8.5

1

13.4

5

1.5

应用领域:

手机和配件、基于微处理器的设备、个人数码助理(PDA)的、笔记本电脑,台式机和服务器、便携式仪表、外设、USB接口等领域

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低电容集成阵列TVS二极管-ESD静电抑制器 GBLC08C BV08C 数据手册

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