【大功率集成阵列瞬变二极管LC03-3.3.TBTPDF数据手册】

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大功率集成阵列瞬变二极管 LC03-3.3.TBT 厂家介绍

大功率集成阵列瞬变二极管 LC03-3.3.TBT 资料规格参数

参数列表

技术参数

3.3 V, 1.8 kW,

封装参数

SOIC, 8

外形尺寸

SOIC, 8

符合标准

其他参数

产品图册

大功率集成阵列瞬变二极管相册

产品概述

双通道TVS阵列LC03-3.3BTG，最大反向工作电压为3.3V，信道走线采用“直通型”设计结构，低至4.5pF典型I/O线-线间结电容，低至9pF典型I/O线-GND间结电容，每个器件均可保护2个信道或1个差分线对，工作温度范围-40℃~125℃，典型电性参数参考如下图3所示双通道TVS阵列LC03-3.3BTG理由如下：
1、高抗雷击防护能力：相比同类竞争产品（如L2KE3V3K8-2S）具有高抗雷击防护能力，通过IEC61000-4-5，level2（lighting），130A（tp=8/20μs）；
2、高抗ESD能力：可以安全地吸收在IEC 61000-4-2国际标准（4级，±30kV接触放电，±30kV空气放电）中规定的最大水平的重复性静电放电，而不会降低性能；
3、典型I/O线-线间结电容低至4.5pF、典型I/O线-GND间结电容低至9pF，有助于维护信号完整性，并最大限度地减少数据丢失，同时提供免受电气威胁的更强大设备；
4、5.0mm x 6.2mm SOIC-8封装，可在高达±30kV/Air，±30kV/Contact ESD的条件下保护1个差分数据线对（2个通道），单机用2颗，可以大幅度节省PCB板空间，有利于产品小型化设计需求；
5、走线采用“直通型”设计结构，可保障信号完整性、减少电压过冲并简化印刷电路板设计
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