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更新时间：2023-07-18 10:42
首页 > 产品中心 > 常州鼎先电子有限公司 > TVS管 > 大电流瞬态抑制二极管 High Power TVS Diodes PTVS10-058C PTVS10-076C PTVS10-170C PTVS10-320C PTVS10-380C PTVS10-470C
大电流瞬态抑制二极管 High Power TVS Diodes PTVS10-058C PTVS10-076C PTVS10-170C PTVS10-320C PTVS10-380C PTVS10-470C

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常州鼎先电子有限公司 - 企业简介点击 TVS管
大电流 PTVS 二极管 具备20 kA 浪涌电流和低箝位电压处理能力 查看详情 》
  • PTVS10-058C PTVS10-076C PTVS10-170C PTVS10-320C PTVS10-380C PTVS10-470C
    封装：PTVS10-058C PTVS10-076C PTVS10-170C PTVS10-320C PTVS10-380C PTVS10-470C
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  • 在产
    生命周期：在产
  • 2021年
    发布时间：2021
  • 150.00
    参考价格： 150.00
by Jihzx.com

大电流瞬态抑制二极管 High Power TVS Diodes PTVS10-058C PTVS10-076C PTVS10-170C PTVS10-320C PTVS10-380C PTVS10-470C 厂家介绍

供应商名称：常州鼎先电子有限公司

一言九鼎，顾客为先！　　 　　常州鼎先电子有限公司是一家致力于瞬态电压抑制器和功率器件设计、制造和销售的半导体技术公司。 　　我司拥有业界的半导体技术，我司的高性能瞬态电压抑制器产品系列在漏电、电容和钳位电压等关键性能指标上达到国际同等水平。经验丰富的团队可以在短时间内提供出高性能、质量可靠的电路保护系列产品，并通过与周边晶圆和封装制造商的紧密合作来加快产品研发和投产速度，降低成本，以时间将具有强竞争力的产品推向市场。 　　公司拥有设计工程师可以为客户提供全套的电路保护方案及测试验证和整改服务。符合 标准建设的EMS实验室和可靠性实验室，促进客户方案设计，缩短客户产品研发周期。在电信、电能设备等行业我们有丰富的EMC测试及解决方案。 　　我们不仅提供合格的产品，提供良好的服务。因为我们相信唯有客户满意，才有达成永续经营的保证。如此一来才使我们鼎先能在激烈竞争的半导体防护器件领域中不断进步。让我们微小的器件成为你品质的后一块拼图，合作共羸，共创美好未来。 　　主营范围： ESD保护器件（包括瞬态电压浪涌抑制器（TVS）、箝位二极管和阵列ESD Array以及TVS Diode）着重实现： 符合IEC 61000-4-2规范的要求 利用低箝位电压保证保护效率 利用低泄漏电流保证保护可靠性 利用超低电容和超高带宽保证信号完整性。 提供标准封装和高级封装选项（包括单/多线、小型、扁平和流通封装），从而优化了空间约束。

大电流瞬态抑制二极管 High Power TVS Diodes PTVS10-058C PTVS10-076C PTVS10-170C PTVS10-320C PTVS10-380C PTVS10-470C 资料规格参数

参数列表
技术参数
10kA,8/20us
封装参数
插件
外形尺寸
插件
符合标准
国标
其他参数
ROHS
产品图册
大电流瞬态抑制二极管 High Power TVS Diodes PTVS10-058C PTVS10-076C PTVS10-170C PTVS10-320C PTVS10-380C PTVS10-470C
大电流瞬态抑制二极管 High Power TVS Diodes相册
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大电流瞬态抑制二极管 High Power TVS Diodes相册
产品概述

大电流瞬态抑制二极管 High Power TVS Diodes

· Power TVS (PTVS)产品为高电流双向的电压瞬变抑制二极管，此设计可应用于交流电的保护和高功率直流总线的应用。这些产品可提供从58伏特至470伏特的双向端口保护并符合RoHS和UL规范，同时还遵守IEC 61000-4-5 8/20 μs 浪涌电流的要求。 相较于金属氧化物变阻器技术的使用，应用于PTVS产品中的硅技术在浪涌发生时可带来较低的定位电压。 这些产品有插件式包装可供选择，并遵守产业标准的规定，例如:RoHS和无铅焊料的耐焊接性。

·  PTVS10-058C PTVS10-076C PTVS10-170C PTVS10-320C PTVS10-380C PTVS10-470C

HTVS(1).pngPTVS10-470C-TH

· 类型 : 齐纳

· 单向通道 : -

· 双向通道 : 1

· 电压-反向关态（典型值） : 470V

· 电压-击穿范围 : 490V-530V

· 电压-箝位（峰值）@Ipp : 630V

· 电流-峰值脉冲（10/1000μs） : 10000A（10kA）（8/20μs）

· 功率-峰值脉冲 : -

· 电源线路保护 : 无

· 应用 : 通用

· 不同频率时的电容 : -

· 工作温度 : -55°C ~ 125°C（TJ）

· 安装类型 : 通孔

大电流 PTVS 二极管 具备20 kA 浪涌电流和低箝位电压处理能力

PTVS20-015C-TH PTVS 二极管符合 IEC 61000-4-2 第 4 级 ESD 保护要求，且具有峰值脉冲电流下的低箝位电压，有助于满足 IEC 61000-4-5 8/20 μs 雷击保护的浪涌电流要求。PTVS (2).jpg

· HPTVS.jpg

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型号
制造商
品名
封装
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提供用于防浪涌和 ESD 保护的瞬态电压抑制器二极管，这些器件均采用了 DO-214AC (SMA) 尺寸格式的紧凑型芯片封装。瞬态电压抑制器的工作峰值反向电压在 5 V 至 110 V 之间可选。从 0 V 到击穿电压，典型快速响应时间均小于 1.0 皮秒
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专为AC线路保护和高功率DC总线箝位应用而设计的高电流双向功率TVS 功能与特色: · 超低箝位电压 · 超紧凑型: 体积不到传统离散型解决方案的十分之一 · 精准的击穿电压
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