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更新时间：2023-05-26 11:00

首页 > 产品中心 > 深圳市晶扬电子有限公司 > ESD protection device (TE seri > ESD protection device (TE series) TE1201SD

ESD protection device (TE series) TE1201SD

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Reverse working voltage max12(v)，Starting voltage min350(v)，clamping voltage35(v)，Leakage current max0.1(uA)，capacitance0.05(pF) 查看详情》

TE1201SD
封装：TE1201SD
127次
浏览器次数：127次
在产
生命周期：在产
2021年
发布时间：2021
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by Jihzx.com

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规格参数
数据手册

ESD protection device (TE series) TE1201SD 厂家介绍

ESD protection device (TE series) TE1201SD 资料规格参数

参数列表

技术参数

Reverse working voltage max12(v)，Starting voltage min350(v)，clamping voltage35(v)，Leakage current max0.1(uA)，capacitance0.05(pF)

封装参数

603

外形尺寸

符合标准

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ESD protection device (TE series)相册

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

TO-92

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR600(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

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Bipolar transistor

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR599(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

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Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

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Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR593(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

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Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR592(uA)，CJ-(pF)

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