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更新时间：2023-05-24 10:22

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ESD+surge protection array TX0517ST

ESD+surge protection array TX0517ST

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Reverse working voltage max5(v)，Starting voltage min6(v)，clamping voltage15V@4.5A14V@25A(v)，Leakage current max1(uA)，capacitance0.4(pF) ，pulse peak current 25(VCC) 4(IO)(A) 查看详情》

TX0517ST
封装：TX0517ST
53次
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在产
生命周期：在产
2021年
发布时间：2021
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ESD+surge protection array TX0517ST 厂家介绍

ESD+surge protection array TX0517ST 资料规格参数

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Reverse working voltage max5(v)，Starting voltage min6(v)，clamping voltage15V@4.5A14V@25A(v)，Leakage current max1(uA)，capacitance0.4(pF) ，pulse peak current 25(VCC) 4(IO)(A)

封装参数

DFN4120-10L

外形尺寸

符合标准

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S8550

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SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

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