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更新时间：2023-05-24 10:22

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ESD+surge protection array TX0317ST

ESD+surge protection array TX0317ST

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Reverse working voltage max3.3(v)，Starting voltage min6/7(v)，clamping voltage4(v)，Leakage current max1(uA)，capacitance0.6(pF) ，pulse peak current 24(VCC) 4(IO)(A) 查看详情》

TX0317ST
封装：TX0317ST
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在产
生命周期：在产
2021年
发布时间：2021
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ESD+surge protection array TX0317ST 厂家介绍

ESD+surge protection array TX0317ST 资料规格参数

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技术参数

Reverse working voltage max3.3(v)，Starting voltage min6/7(v)，clamping voltage4(v)，Leakage current max1(uA)，capacitance0.6(pF) ，pulse peak current 24(VCC) 4(IO)(A)

封装参数

DFN4120-10L

外形尺寸

符合标准

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ESD+surge protection array TX0317ST

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SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S8550

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SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

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