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更新时间：2023-05-24 10:22

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ESD+surge protection array TX0513TM

ESD+surge protection array TX0513TM

深圳市晶扬电子有限公司 - 企业简介点击 ESD+surge protection array

Reverse working voltage max5(v)，Starting voltage min6(v)，clamping voltage8.5(v)，Leakage current max 0.1(uA)，capacitance 0.7/390(pF) ，pulse peak current 5(IO) 70(VCC)(A) 查看详情》

TX0513TM
封装：TX0513TM
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在产
生命周期：在产
2021年
发布时间：2021
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by Jihzx.com

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ESD+surge protection array TX0513TM 厂家介绍

ESD+surge protection array TX0513TM 资料规格参数

参数列表

技术参数

Reverse working voltage max5(v)，Starting voltage min6(v)，clamping voltage8.5(v)，Leakage current max 0.1(uA)，capacitance 0.7/390(pF) ，pulse peak current 5(IO) 70(VCC)(A)

封装参数

SOT143

外形尺寸

符合标准

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ESD+surge protection array TX0513TM

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产品概述

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR600(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR599(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S9015

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Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S9012

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深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S8550

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深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor MMBTA92

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SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR593(uA)，CJ-(pF)

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