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更新时间：2023-05-24 10:22

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ESD+surge protection array TX0513VM

ESD+surge protection array TX0513VM

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Reverse working voltage max3.3/5(v)，Starting voltage min 5/6(v)，clamping voltage5/11(v)，Leakage current max 0.1(uA)，capacitance1/150(pF) ，pulse peak current 10(IO) 25(VCC)(A) 查看详情》

TX0513VM
封装：TX0513VM
31次
浏览器次数：31次
在产
生命周期：在产
2021年
发布时间：2021
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ESD+surge protection array TX0513VM 厂家介绍

ESD+surge protection array TX0513VM 资料规格参数

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技术参数

Reverse working voltage max3.3/5(v)，Starting voltage min 5/6(v)，clamping voltage5/11(v)，Leakage current max 0.1(uA)，capacitance1/150(pF) ，pulse peak current 10(IO) 25(VCC)(A)

封装参数

SOT143

外形尺寸

符合标准

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ESD+surge protection array TX0513VM

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR601(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR600(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR599(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S9015

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Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S9012

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S8550

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深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor MMBTA92

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SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR593(uA)，CJ-(pF)

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