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更新时间：2023-05-24 10:22

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Surge protection array TS61089B

Surge protection array TS61089B

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Reverse working voltage max-170(v)，Starting voltage min-170(v)，Leakage current max-5(uA)，capacitance50(pF) ，pulse peak current30 (10/1000us) 40 (5/320us)100 (1.2/50us) 120 (2/10us)(A) 查看详情》

TS61089B
封装：TS61089B
31次
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在产
生命周期：在产
2021年
发布时间：2021
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by Jihzx.com

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Surge protection array TS61089B 厂家介绍

Surge protection array TS61089B 资料规格参数

参数列表

技术参数

Reverse working voltage max-170(v)，Starting voltage min-170(v)，Leakage current max-5(uA)，capacitance50(pF) ，pulse peak current30 (10/1000us) 40 (5/320us)100 (1.2/50us) 120 (2/10us)(A)

封装参数

SOP-8

外形尺寸

符合标准

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Surge protection array TS61089B

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR601(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR600(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR599(uA)，CJ-(pF)

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SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S8550

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR593(uA)，CJ-(pF)

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