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更新时间：2023-05-23 11:46

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Surge protection diode TS1051LJ

Surge protection diode TS1051LJ

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Reverse working voltage max10(v)，Starting voltage min11(v)，clamping voltage30V@180A(v)，Leakage current max0.1(uA)，capacitance 1200(pF) ，pulse peak current 180(A)，Ppk5000 (W) 查看详情》

TS1051LJ
封装：TS1051LJ
51次
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在产
生命周期：在产
2021年
发布时间：2021
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by Jihzx.com

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Surge protection diode TS1051LJ 厂家介绍

Surge protection diode TS1051LJ 资料规格参数

参数列表

技术参数

Reverse working voltage max10(v)，Starting voltage min11(v)，clamping voltage30V@180A(v)，Leakage current max0.1(uA)，capacitance 1200(pF) ，pulse peak current 180(A)，Ppk5000 (W)

封装参数

DFN2020-3L

外形尺寸

符合标准

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Surge protection diode TS1051LJ

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S8550

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor MMBTA92

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SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

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