更新时间:2023-05-18 11:25
- 4N65F
封装:4N65F
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- 在产
生命周期:在产
- 2021年
发布时间:2021
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场效应管(MOSFET) 4N65F 资料规格参数
参数列表
技术参数
N通道VDS=650V ID=4A(VGS=±30V)RDS(ON)=2.8Q
其他参数
最小包装数(PCS):1000/盒;入驻库存(PCS):50000;最小起订量(PCS):1000/盒
场效应管(MOSFET) 4N65F 数据手册
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