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更新时间：2023-05-16 15:07

首页 > 产品中心 > 南京中科微电子有限公司 > 2.4GHz无线射频芯片 > 2.4G无线射频芯片 Si24R2E

2.4G无线射频芯片 Si24R2E

南京中科微电子有限公司 - 企业简介点击 2.4GHz无线射频芯片

Si24R2E芯片QFN20_2.4GHz单发射低功耗有源RFID_内置可编程存储器低功耗+7dBm可调功率查看详情》

Si24R2E
封装：Si24R2E
453次
浏览器次数：453次
在产
生命周期：在产
2021年
发布时间：2021
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by Jihzx.com

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规格参数
数据手册

2.4G无线射频芯片 Si24R2E 厂家介绍

2.4G无线射频芯片 Si24R2E 资料规格参数

参数列表

技术参数

· 2.4GHz ISM频段 · 数据速率250K/1M/2M · 最高发射功率：+7dBm? · 单发射内置NVM可编程128次 · 睡眠电流：700nA

封装参数

QFN20

外形尺寸

4*4*0.8mm

符合标准

其他参数

产品图册

2.4G无线射频芯片相册

产品概述

null

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2.4G无线射频芯片 Si24R2E 数据手册

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Si24R2E_数据手册_brief_V1_1.pdf 2023-05-16 15:07 查看

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR600(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

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Bipolar transistor

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

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