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更新时间：2023-05-05 11:57

首页 > 产品中心 > 武汉瑞纳捷半导体有限公司 > 安全芯片 > 芯片 RJMU401FHO

芯片 RJMU401FHO

武汉瑞纳捷半导体有限公司 - 企业简介点击安全芯片

对称算法：DES/AES/SM1/SM4接口：SPI内核：ARM-SC100；550KB，18KB，ESD性能：7KV HBM工作电压：2.4~5.5V工作温度：-40-85℃ 查看详情》

RJMU401FHO
封装：RJMU401FHO
116次
浏览器次数：116次
在产
生命周期：在产
2021年
发布时间：2021
1.00
参考价格： 1.00

by Jihzx.com

厂家介绍
规格参数
数据手册

芯片 RJMU401FHO 厂家介绍

芯片 RJMU401FHO 资料规格参数

参数列表

技术参数

对称算法：DES/AES/SM1/SM4接口：SPI内核：ARM-SC100；550KB，18KB，ESD性能：7KV HBM工作电压：2.4~5.5V工

封装参数

SSOP20L

外形尺寸

7.2×5.3mm

符合标准

国密一级EAL4+

其他参数

产品图册

芯片相册

产品概述

null

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芯片 RJMU401FHO 数据手册

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RJMU401_datasheet__v2.21.pdf 2023-05-05 11:57 查看

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TO-92

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR600(uA)，CJ-(pF)

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR599(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

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Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

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Bipolar transistor

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IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR593(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR592(uA)，CJ-(pF)

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