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更新时间：2023-05-05 14:30
首页 > 产品中心 > 成都通量科技有限公司 > 射频开关 > 射频开关 FW3101
射频开关 FW3101

射频开关 FW3101

成都通量科技有限公司 - 企业简介点击 射频开关
宽频带： 0.1-6GHz；低插损：<1dB；高隔离： >60dB；高线性： 60dBm； 查看详情 》
  • FW3101
    封装：FW3101
  • 103次
    浏览器次数：103次
  • 在产
    生命周期：在产
  • 2021年
    发布时间：2021
  • 0.00
    参考价格： 0.00
by Jihzx.com

射频开关 FW3101 厂家介绍

供应商名称：成都通量科技有限公司

成都通量科技有限公司是一家专注于射频/毫米波集成电路芯片开发与销售的高新技术企业，公司成立于 2014 年11月，隶属于西安天和防务技术股份有限公司（股票代码：300397）控股子公司。公司总部位于成都高新西区，并在上海、新加坡设有研发分部，在西安和深圳等地设有办事处。公司具有丰富的自主知识产权，核心技术团队均毕业于国内外一流大学，博士学历占总人数的12%，硕士学历占总人数的28%，本科及以上学历占总人数的88%。

公司产品涵盖基站射频通信芯片、毫米波多通道芯片、WIFI/IoT射频前端模组、手机射频前端芯片等，具有行业内领先的性能指标。其中基站类芯片已成功应用于中兴，大唐等国际一流通信厂商设备中，实现大批量供货，并获得客户一致好评。

公司秉承“品质为本，技术为重，客户至上，持续改进”的质量目标，立志于为客户提供具有业内顶尖的技术服务，致力于成为国内射频芯片领导者。

射频开关 FW3101 资料规格参数

参数列表
技术参数
宽频带： 0.1-6GHz；低插损：<1dB；高隔离： >60dB；高线性： 60dBm；
封装参数
QFN 4×4 mm，兼容 RFSW6024
外形尺寸
QFN 4×4 mm，兼容 RFSW6024
符合标准
欧盟 ROHS 指令欧盟 REACH 法规无卤(氟、氯、澳、碘)
其他参数
典型应用：宏基站，小基站； Wifi， WiMAX系；ISM 频段收发；通用高性能通信系统；测试设备及仪器等
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射频开关 FW3101
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射频开关 FW3101 相关器件

器件图
型号
制造商
品名
封装
描述
价格(元)
PDF
射频开关 FW3104
射频开关
FW3104
成都通量科技有限公司
射频开关
DFN 2×2 mm，兼容 RFSW8000
宽频带： 0.1-6GHz；低插损：<1dB；高隔离： >25dB；高线性： 60dBm；
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射频开关 FW3103
射频开关
FW3103
成都通量科技有限公司
射频开关
QFN 4×4 mm，兼容 QPC6044
宽频带：0.1-6GHz；低插损：<1dB；高隔离：>60dB；高线性： 60dBm；
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射频开关 FW3101
射频开关
FW3101
成都通量科技有限公司
射频开关
QFN 4×4 mm，兼容 RFSW6024
宽频带： 0.1-6GHz；低插损：<1dB；高隔离： >60dB；高线性： 60dBm；
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射频开关 HG166KB
射频开关
HG166KB
成都华光瑞芯微电子股份有限公司
射频开关
1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时 间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 26．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。
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射频开关 HG146KB/HG146KB(M)
射频开关
HG146KB/HG146KB(M)
成都华光瑞芯微电子股份有限公司
射频开关
1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时 间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 25．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。
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射频开关 HG145KC-1
射频开关
HG145KC-1
成都华光瑞芯微电子股份有限公司
射频开关
1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时 间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 24．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。
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射频开关 HG137KA
射频开关
HG137KA
成都华光瑞芯微电子股份有限公司
射频开关
1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时 间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 23．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。
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射频开关 HG134KA-1
射频开关
HG134KA-1
成都华光瑞芯微电子股份有限公司
射频开关
1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时 间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 22．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。
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射频开关 HG133K-2/HG133K-2(M)
射频开关
HG133K-2/HG133K-2(M)
成都华光瑞芯微电子股份有限公司
射频开关
1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时 间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 21．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。
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射频开关 HG127KD
射频开关
HG127KD
成都华光瑞芯微电子股份有限公司
射频开关
1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时 间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 20．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。
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