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汕头华汕电子器件有限公司

更新时间：2022-08-24 09:20

汕头华汕电子器件有限公司产品目录： Field effect transistor 二极管 Transient voltage suppression diode 瞬态电压抑制二极管 diode 可控硅 Silicon controlled rectifier 场效应管

汕头华汕电子器件有限公司产品分类： Crystals / 二极管 / 晶体管 / 主动器件 /

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场效应管 H13003H 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 H13003D 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 H13003 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 H13002U 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 H13002 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 H13001 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 HFU70N03V 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

测试条件:IB1=0.2A,IB2=-0.2A 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 HFU2N60 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

测试条件:IB1=0.2A,IB2=-0.2A 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 HFU1N60 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

测试条件:IB1=0.2A,IB2=-0.2A 详细参数...

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场效应管 HFR1N60 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

测试条件:IB1=0.2A,IB2=-0.2A 详细参数...

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