首页 > 产品中心列表 > 桂林斯壮桂微电子有限责任公司

桂林斯壮桂微电子有限责任公司

更新时间：2022-08-24 09:16

桂林斯壮桂微电子有限责任公司产品目录：晶体管 MOS场效应管 MOS field effect transistor 通用三极管 General Purpose Transistors 三极管 triode 插件封装场效应管

桂林斯壮桂微电子有限责任公司产品分类：晶体管 / Thyristors / 三极管 / 二极管 /

简介：

桂林斯壮桂微电子有限责任公司供应商报价

查看相册

其他表贴封装场效应管 GM8205D 桂林斯壮桂微电子有限责任公司晶体管

Low on-resistance and maximum DC current capability 低導通電阻和最大直流電流能力详细参数...

价格： 1.00
查看详情集合商城
查看相册

其他表贴封装场效应管 GM8205 桂林斯壮桂微电子有限责任公司晶体管

Low on-resistance and maximum DC current capability 低導通電阻和最大直流電流能力详细参数...

价格： 1.00
查看详情集合商城
查看相册

二极管 BAR43S 桂林斯壮桂微电子有限责任公司二极管

Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓(IR=10uA) 详细参数...

价格： 1.00
查看详情集合商城
查看相册

二极管 BAR43C 桂林斯壮桂微电子有限责任公司二极管

Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓(IR=10uA) 详细参数...

价格： 1.00
查看详情集合商城
查看相册

二极管 BAR43A 桂林斯壮桂微电子有限责任公司二极管

Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓(IR=10uA) 详细参数...

价格： 1.00
查看详情集合商城
查看相册

二极管 BAR43 桂林斯壮桂微电子有限责任公司二极管

Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓(IR=10uA) 详细参数...

价格： 1.00
查看详情集合商城
查看相册

二极管 GM6411 桂林斯壮桂微电子有限责任公司二极管

Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓(IR=10uA) 详细参数...

价格： 1.00
查看详情集合商城
查看相册

二极管 BAT54S 桂林斯壮桂微电子有限责任公司二极管

Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓(IR=10uA) 详细参数...

价格： 1.00
查看详情集合商城
查看相册

二极管 BAT54C 桂林斯壮桂微电子有限责任公司二极管

Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓(IR=10uA) 详细参数...

价格： 1.00
查看详情集合商城
查看相册

二极管 BAT54A 桂林斯壮桂微电子有限责任公司二极管

Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓(IR=10uA) 详细参数...

价格： 1.00
查看详情集合商城

桂林斯壮桂微电子有限责任公司

桂林斯壮桂微电子有限责任公司 供应商报价

桂林斯壮桂微电子有限责任公司供应商报价