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成都华光瑞芯微电子股份有限公司

更新时间：2021-09-18 09:49

成都华光瑞芯微电子股份有限公司产品目录：限幅器芯片数控衰减器数控移相器混频器下变频上下变频多功能芯片无源芯片、滤波器

成都华光瑞芯微电子股份有限公司产品分类：限幅器芯片 / 数控衰减器 / 移相器芯片 / 混频器芯片 / 上、下变频器芯片 / 多功能芯片 / 滤波器芯片 / 均衡器芯片 /

简介：成都华光瑞芯微电子股份有限公司是国内领先的微波射频芯片（MMIC）和模拟芯片研发生产商。凭借经验丰富的研发团队、卓越的技术实力和先进的生产工艺，已在微波射频领域处于业界领先水平。公司是中国半导体行业协会成员和四川省高新技术企业，并被工信部认定为集成电路设计企业，荣获“全国微电子技术产业知名品牌示范单位”称号。公司主营产品为采用GaAs PHEMT/HBT、GaN HEMT、CMOS、SiGe BiCMOS工艺制作的微波射频芯片和模拟芯片，频率覆盖范围达DC-100GHz，具有频带宽、功耗低、集成度高、成本低、供货周期短等独特优势，已形成超宽带、低功耗系列等多种特色产品，同时可提供环行器隔离器和微波毫米波SIP组件。这些产品在无线通信、汽车电子、物联网等市场领域得到了广泛应用。公司现有微波射频芯片后道工艺和微组装生产线，万级净化间达2000m2，可分别对6-8英寸晶圆进行后道工序处理，具备50万只的微波射频芯片和组件的年生产能力。华光瑞芯将继续立足于自我创新的发展思路，持续研发性能优越、质量可靠、价格合理的微波射频产品，提供一流的技术服务，一如既往地坚持为客户提供更好的解决方案，创造更大价值。

成都华光瑞芯微电子股份有限公司供应商报价

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低噪声放大器芯片 HG115F6 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；25．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG115F5 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；24．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG114F7 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；23．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG112F-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；22．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG112F7-Q09 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；21．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG112F7/(M) 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；20．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG113FF 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；19．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG113FG 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；18．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG113F03 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；17．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG511F 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；16．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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