【放大器】_放大器厂家_放大器采购-集合中芯网

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；38．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

功率放大器芯片 HG133F1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；37．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

功率放大器芯片 HG123F4 成都华光瑞芯微电子股份有限公司功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；36．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

功率放大器芯片 HG137FA 成都华光瑞芯微电子股份有限公司功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；35．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

功率放大器芯片 HG136F-4 成都华光瑞芯微电子股份有限公司功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；34．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

功率放大器芯片 HG136F-5 成都华光瑞芯微电子股份有限公司功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；33．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

中功率放大器芯片 HG128FC 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；32．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

中功率放大器芯片 HG128FD 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；31．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

中功率放大器芯片 HG128F 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；30．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

中功率放大器芯片 HG128FB 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；29．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

放大器 供应商报价

放大器供应商报价