【多功能芯片】_多功能芯片厂家_多功能芯片采购-集合中芯网

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.8mm 详细参数...

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多功能芯片 HG154NB 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.7mm 详细参数...

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多功能芯片 HG154NA 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.6mm 详细参数...

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多功能芯片 HG144ND 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.5mm 详细参数...

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多功能芯片 HG134N-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.4mm 详细参数...

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多功能芯片 HG154NA-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.3mm 详细参数...

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多功能芯片 HG133NA 成都华光瑞芯微电子股份有限公司多功能芯片

关键指标频率：2～2.5GHz 增益：17dB，输出 P-1：19dBm 移相步进：5.625°，移相位数：六位移相精度均方根：1.4° 衰减步进：0.5dB，衰减位数：六位衰减精度均方根：0.2dB 工作电压：+5/-5V，工作电流：79mA/12mA 控制电平：0/+5V 芯片尺寸：2.8mm×3.2mm 详细参数...

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