【场效应管】_场效应管厂家_场效应管采购-集合中芯网

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场效应管 DMN3033LSNQ 深圳市晶芯微半导体有限公司电阻

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场效应管 DMN3033LSN 深圳市晶芯微半导体有限公司电阻

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场效应管 DMN100 深圳市晶芯微半导体有限公司电阻

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MOS（场效应管） SL3401S 深圳市萨科微科技有限公司 MOS（场效应管）

漏源电压（Vdss） -30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 4A 栅源极阈值电压 1.3V @ 250uA 漏源导通电阻 60mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C） 2.5W 类型 P沟道详细参数...

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MOS（场效应管） SL2301 深圳市萨科微科技有限公司 MOS（场效应管）

漏源电压（Vdss） 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 2.8A 栅源极阈值电压 1V @ 250uA 漏源导通电阻 112mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C） 400mW 类型 P沟道详细参数...

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MOS（场效应管） BSS138 深圳市萨科微科技有限公司 MOS（场效应管）

漏源电压（Vdss） 50V 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 220mA 栅源极阈值电压 1.6V @ 1mA 漏源导通电阻 3.5Ω @ 220mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW 类型 N沟道详细参数...

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MOS（场效应管） 2N7002 深圳市萨科微科技有限公司 MOS（场效应管）

漏源电压（Vdss） 60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 115mA 栅源极阈值电压 2.5V @ 250uA 漏源导通电阻 7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW 类型 N沟道详细参数...

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MOS（场效应管） SL2301S 深圳市萨科微科技有限公司 MOS（场效应管）

漏源电压（Vdss） -20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 2.4A 栅源极阈值电压 1.5V @ 250uA 漏源导通电阻 140mΩ @ 2.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C） 900mW 类型 P沟道详细参数...

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MOS（场效应管） SL3400 深圳市萨科微科技有限公司 MOS（场效应管）

漏源电压（Vdss） 30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 5.8A 栅源极阈值电压 1.4V @ 250uA 漏源导通电阻 41mΩ @ 5.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C） 1.4W 类型 N沟道详细参数...

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MOS（场效应管） SL3415 深圳市萨科微科技有限公司 MOS（场效应管）

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