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场效应管供应商报价

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场效应管(MOSFET) 2SK3018 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA 工作温度：+150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.04
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场效应管(MOSFET) 2N7002W 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA 详细参数...

价格： 0.08
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场效应管(MOSFET) 2N7002 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2mΩ@10V,100mA 工作温度：+150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.03
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场效应管 KSC5302DM 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 KSC5302D 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 KSE13009 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 FJA13009 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 KSE13009F 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 KSE13009 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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场效应管 KSE13007 汕头华汕电子器件有限公司晶体管

集电极—基极击穿电压IC=1mA, IE=0 详细参数...

价格： 1.00
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