【场效应管】_场效应管厂家_场效应管采购-集合中芯网

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场效应管(MOSFET) AO3402 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：37mΩ@10V,1A 详细参数...

价格： 0.11

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场效应管(MOSFET) AO3401 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA 工作温度：+150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.11

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场效应管(MOSFET) AO3400 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40Ω@10V,3.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA 详细参数...

价格： 0.11

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场效应管(MOSFET) AO3400 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32Ω@10V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA 详细参数...

价格： 0.13

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场效应管(MOSFET) 9435 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：57mΩ@10V,5.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 工作温度：-55 to+150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.23

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场效应管(MOSFET) 50N06 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.2V@250uA 工作温度：-55 To 150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.35

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场效应管(MOSFET) 4953 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：2个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.3A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：54mΩ@10V,5.3A 详细参数...

价格： 0.38

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场效应管(MOSFET) 4410 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 工作温度：-55 to+150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.35

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场效应管(MOSFET) 4409 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 工作温度：-55 to+150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.62

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场效应管(MOSFET) 2SK3019 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA 详细参数...

价格： 0.06

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