【场效应管】_场效应管厂家_场效应管采购-集合中芯网

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场效应管(MOSFET) SI2301 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@4.5V,1.5A 详细参数...

价格： 0.04

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场效应管(MOSFET) SI2300 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@4.5V,3.6A 详细参数...

价格： 0.11

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场效应管(MOSFET) AO3401 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@4.5V,2.8A 详细参数...

价格： 0.11

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场效应管(MOSFET) 8205A 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.022Ω@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA 详细参数...

价格： 0.13

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场效应管(MOSFET) WPM2341-3 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.7A 功率(Pd)：1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@4.5V,3.7A 详细参数...

价格： 0.17

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场效应管(MOSFET) WNM4002-3/TR 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA 详细参数...

价格： 0.11

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场效应管(MOSFET) SI2343 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 工作温度：150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.19

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场效应管(MOSFET) SI2324 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@4.5V,4.2A 详细参数...

价格： 0.21

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场效应管(MOSFET) SI2306 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@10V,3.5A 详细参数...

价格： 0.14

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场效应管(MOSFET) SI2305 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65Ω@4.5V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA 详细参数...

价格： 0.11

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