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场效应管(MOSFET) KM3134K 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：750mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：330Ω@4.5V,650mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA 工作温度：-55-150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.06

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场效应管(MOSFET) 2SK4003-7-F 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA 工作温度：150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.11

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场效应管(MOSFET) 2SK3018-7-F 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA 工作温度：150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.05

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场效应管(MOSFET) 2N7002T-7-F 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 详细参数...

价格： 0.07

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场效应管(MOSFET) IRLML2502TRPBF 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6A 详细参数...

价格： 0.15

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场效应管(MOSFET) AO3415 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5.6A 功率(Pd)：1300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42Ω@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA 工作温度：-55-150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.15

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场效应管(MOSFET) 2SK3018W 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@100uA 工作温度：-55-150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.05

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场效应管(MOSFET) 2N7002K 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：225W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 工作温度：+150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.04

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场效应管(MOSFET) SI2310 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：24mΩ@4.5V,5A 详细参数...

价格： 0.12

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场效应管(MOSFET) SI2302 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@4.5V,3A 详细参数...

价格： 0.04

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