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场效应管供应商报价

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场效应管(MOSFET) 2N60L 广东友台半导体有限公司场效应管(MOSFET)

N通道VDS=600V ID=2A（VGS=±30V）RDS（ON）=4.2Q 详细参数...

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场效应管(MOSFET) 2N65G 广东友台半导体有限公司场效应管(MOSFET)

N通道VDS=650V ID=2A（VGS=±30V）RDS（ON）=4.5Q 详细参数...

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场效应管(MOSFET) 2N60G 广东友台半导体有限公司场效应管(MOSFET)

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场效应管(MOSFET) 1N65L 广东友台半导体有限公司场效应管(MOSFET)

N通道VDS=650V ID=1A（VGS=±30V）RDS（ON）=8.5Q 详细参数...

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场效应管(MOSFET) 1N60L 广东友台半导体有限公司场效应管(MOSFET)

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场效应管(MOSFET) 1N65G 广东友台半导体有限公司场效应管(MOSFET)

N通道VDS=650V ID=1A（VGS=±30V）RDS（ON）=8.5Q 详细参数...

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场效应管(MOSFET) 1N60G 广东友台半导体有限公司场效应管(MOSFET)

N通道VDS=600V ID=1 A（VGS=±30V）RDS（ON）=11Q 详细参数...

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场效应管(MOSFET) 15N10 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：15W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：131mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 工作温度：-55 To 175℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.35
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场效应管(MOSFET) QM2416K 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6A 详细参数...

价格： 0.13
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场效应管(MOSFET) KM3139K 深圳市永裕泰有限公司场效应管(MOSFET)

类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：660mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：510Ω@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.8V@250uA 工作温度：-55-150℃@(Tj) 详细参数...

价格： 0.06
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