【低噪声放大器芯片】_低噪声放大器芯片厂家_低噪声放大器芯片采购-集合中芯网

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GaAs 低噪声放大器芯片 MH1011 成都浩瀚芯光微电子科技有限公司低噪声放大器

GaAs 低噪声放大器芯片MH1011工作电压(V)：5 详细参数...

价格： 1.00

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GaAs 低噪声放大器芯片 MH1010 成都浩瀚芯光微电子科技有限公司低噪声放大器

GaAs 低噪声放大器芯片MH1010工作电压(V)：5 详细参数...

价格： 1.00

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GaAs 低噪声放大器芯片 MH1009 成都浩瀚芯光微电子科技有限公司低噪声放大器

GaAs 低噪声放大器芯片MH1009工作电压(V)：5 详细参数...

价格： 1.00

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GaAs 低噪声放大器芯片 MH234 成都浩瀚芯光微电子科技有限公司低噪声放大器

GaAs 低噪声放大器芯片MH234工作电压(V)：8/-0.3 详细参数...

价格： 1.00

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低噪声放大器芯片 HG118FG 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；89．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG118FD 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；88．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

价格： 0.00

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低噪声放大器芯片 HG118FC-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；87．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

价格： 0.00

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低噪声放大器芯片 HG118FC-2 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；86．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

价格： 0.00

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低噪声放大器芯片 HG118F1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；85．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 供应商报价

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