【低噪声放大器芯片】_低噪声放大器芯片厂家_低噪声放大器芯片采购-集合中芯网

低噪声放大器芯片 HG111F3 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；13．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG111F2 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；12．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG111F1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；11．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG114FH-2 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；10．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG114FH-3 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；9．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG114FH-1A 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；8．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG114F2 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；7．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG114FH-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；6．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HGC344* 天津中科海高微波技术有限公司低噪声放大器芯片

频率(GHz)24-40 详细参数...

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低噪声放大器芯片 HGC340 天津中科海高微波技术有限公司低噪声放大器芯片

频率(GHz)20-40 详细参数...

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