【低噪声放大器芯片】_低噪声放大器芯片厂家_低噪声放大器芯片采购-集合中芯网

低噪声放大器芯片 HG114F7 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；23．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

低噪声放大器芯片 HG112F-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；22．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

低噪声放大器芯片 HG112F7-Q09 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；21．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

低噪声放大器芯片 HG112F7/(M) 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；20．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

低噪声放大器芯片 HG113FF 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；19．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

低噪声放大器芯片 HG113FG 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；18．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

查看相册

低噪声放大器芯片 HG113F03 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；17．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

价格： 0.00

查看详情集合商城

低噪声放大器芯片 供应商报价

低噪声放大器芯片供应商报价