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放大器芯片

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简介：末级功率放大器起关键作用。它将驱动放大器送来的电流信号形成大功率信号,带动扬声器发声,它的技术指标决定了整个功率放大器的技术指标...

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低噪声放大器芯片 HG117FF 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；79．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG117FH-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；78．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG117F3 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；77．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG117FG 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；76．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG115FP 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；75．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG115FS 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；74．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG115FD-7 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；73．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG115FK 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；72．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG115FL-2 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；71．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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低噪声放大器芯片 HG115FN-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司低噪声放大器芯片

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端无隔直电容；70．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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