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放大器芯片

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简介：末级功率放大器起关键作用。它将驱动放大器送来的电流信号形成大功率信号,带动扬声器发声,它的技术指标决定了整个功率放大器的技术指标...

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中功率放大器芯片 HG124F8 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；15．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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中功率放大器芯片 HG124F5 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；14．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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中功率放大器芯片 HG124F3 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；13．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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中功率放大器芯片 HG124F4 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；12．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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中功率放大器芯片 HG123F3 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；11．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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中功率放大器芯片 HG123F1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；10．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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中功率放大器芯片 HG123F2 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；9．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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中功率放大器芯片 HG124FE 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；8．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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中功率放大器芯片 HG128F2 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；7．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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中功率放大器芯片 HG128F1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司中功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；6．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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