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放大器芯片

放大器芯片供应厂家：广东友台半导体有限公司深圳市萨科微科技有限公司天津中科海高微波技术有限公司江苏润石科技有限公司成都华光瑞芯微电子股份有限公司芯佰微电子（北京）有限公司成都浩瀚芯光微电子科技有限公司广东华冠半导体有限公司

简介：末级功率放大器起关键作用。它将驱动放大器送来的电流信号形成大功率信号,带动扬声器发声,它的技术指标决定了整个功率放大器的技术指标...

放大器芯片供应商报价

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精密运算放大器 CBM8602AS8 芯佰微电子（北京）有限公司精密运算放大器

具有极低失调电压、DigiTrim?、轨到轨输入和输出、双通道运算放大器详细参数...

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精密运算放大器 CBM8602AMS8 芯佰微电子（北京）有限公司精密运算放大器

具有极低失调电压、DigiTrim?、轨到轨输入和输出、双通道运算放大器详细参数...

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精密运算放大器 CBM8601AST5 芯佰微电子（北京）有限公司精密运算放大器

具有极低失调电压、RRIO、单通道运算放大器详细参数...

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双向放大器芯片 HG117FJ 成都华光瑞芯微电子股份有限公司双向放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；87．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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双向放大器芯片 HG113F1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司双向放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；86．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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双向放大器芯片 HG142F2 成都华光瑞芯微电子股份有限公司双向放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；85．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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功率放大器芯片 HG138F8 成都华光瑞芯微电子股份有限公司功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；69．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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功率放大器芯片 HG138F7 成都华光瑞芯微电子股份有限公司功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；68．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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功率放大器芯片 HG138F-4 成都华光瑞芯微电子股份有限公司功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；67．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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功率放大器芯片 HG138FB 成都华光瑞芯微电子股份有限公司功率放大器芯片

注意事项1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用；2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心；3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地；4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm；5．芯片微波端均无隔直电容；66．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电详细参数...

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