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开关相关分类：带锁开关 / DIP/SIP / 开关配件 / 旋钮 / 传动装置 / 选择开关 / 接触块 / 联锁开关 /

简介：开关的词语解释为开启和关闭。它还是指一个可以使电路开路、使电流中断或使其流到其他电路的电子元件。最常见的开关是让人操作的机电设备，其中有一个或数个电子接点。接点的“闭合”（Closed）表示电子接点导通，允许电流流过；开关的“开路”（Open）表示电子接点不导通形成开路，不允许电流流过

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射频开关 HG128KC 成都华光瑞芯微电子股份有限公司射频开关

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 19．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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射频开关 HG127K2A 成都华光瑞芯微电子股份有限公司射频开关

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 18．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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射频开关 HG123KA-3 成都华光瑞芯微电子股份有限公司射频开关

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 17．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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射频开关 HG128K2 成都华光瑞芯微电子股份有限公司射频开关

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 16．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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射频开关 HG128KB 成都华光瑞芯微电子股份有限公司射频开关

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 15．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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射频开关 HG127KC 成都华光瑞芯微电子股份有限公司射频开关

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 14．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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射频开关 HG126KB 成都华光瑞芯微电子股份有限公司射频开关

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 13．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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射频开关 HG125KA-1(M) 成都华光瑞芯微电子股份有限公司射频开关

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 12．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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射频开关 HG125KA-1 成都华光瑞芯微电子股份有限公司射频开关

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 11．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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射频开关 HG124K2 成都华光瑞芯微电子股份有限公司射频开关

1．芯片在干燥、氮气环境中存储，在超净环境使用； 2．GaAs 材料较脆，不能触碰芯片表面，使用时必须小心； 3．芯片用导电胶或合金烧结（合金温度不能超过 300℃，时间不能超过 30 秒），使之充分接地； 4．芯片微波端口与基片间隙不超过 0.05mm，使用 Ф25μm 双金丝键合，建议金丝长度 250～400μm； 5．芯片微波端无隔直电容； 10．芯片对静电敏感，在储存和使用过程中注意防静电。详细参数...

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