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MOS管

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MOS管相关分类：主动器件 / 二极管 / 逻辑芯片 / 电源管理 / 肖特基二极管 / 整流二极管 / 小信号二极管 / 与门芯片 /

简介： Mos管是金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(SemiConductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(Insulator)—半导体。MOS管的Source和Drain是可以对调的，他们都是在P型Backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的

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MOS(场馆效应） SL3401S 深圳市萨科微科技有限公司 MOS管

漏源电压（Vdss） -30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 4A 栅源极阈值电压 1.3V @ 250uA 漏源导通电阻 60mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C） 2.5W 类型 P沟道详细参数...

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MOS(场馆效应） SL2302S 深圳市萨科微科技有限公司 MOS管

漏源电压（Vdss） 20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 2.6A 栅源极阈值电压 1.5V @ 250uA 漏源导通电阻 85mΩ @ 2.6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C） 900mW 类型 N沟道详细参数...

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MOS(场馆效应） SL2301S 深圳市萨科微科技有限公司 MOS管

漏源电压（Vdss） -20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时） 2.4A 栅源极阈值电压 1.5V @ 250uA 漏源导通电阻 140mΩ @ 2.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C） 900mW 类型 P沟道详细参数...

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