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“采用专有硅雪崩技术组装的齐纳二极管保护每个输入/输出引脚，并为可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别保护。该二极管功能强大，可在±30KV（接触放电，IEC 61000-4-2）下安全地接受重复ESD冲击，而不会降低性能。此外，在极低的箝位电压μS波形浪涌电流（iec61000-4-5）下，每个二极管可以安全地耗散7a中的8/20。较小的封装尺寸可以节省PCB空间“” 详细参数...

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静电放电保护元件 SR1018 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

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静电放电保护元件 USRV05-4 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

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静电放电保护元件 USMS05C 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

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静电放电保护元件 ULC05-2 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

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静电放电保护元件 ULC0504D 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

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静电放电保护元件 SR05-04A 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

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静电放电保护元件 SRV05-4 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

“采用专有硅雪崩技术组装的齐纳二极管保护每个输入/输出引脚，并为可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别保护。该二极管功能强大，可在±30KV（接触放电，IEC 61000-4-2）下安全地接受重复ESD冲击，而不会降低性能。此外，在极低的箝位电压μS波形浪涌电流（iec61000-4-5）下，每个二极管可以安全地耗散7a中的8/20。较小的封装尺寸可以节省PCB空间“” 详细参数...

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静电放电保护元件 SRV0504 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

“采用专有硅雪崩技术组装的齐纳二极管保护每个输入/输出引脚，并为可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别保护。该二极管功能强大，可在±30KV（接触放电，IEC 61000-4-2）下安全地接受重复ESD冲击，而不会降低性能。此外，在极低的箝位电压μS波形浪涌电流（iec61000-4-5）下，每个二极管可以安全地耗散7a中的8/20。较小的封装尺寸可以节省PCB空间“” 详细参数...

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静电放电保护元件 SRV05-4W 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

“采用专有硅雪崩技术组装的齐纳二极管保护每个输入/输出引脚，并为可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高级别保护。该二极管功能强大，可在±30KV（接触放电，IEC 61000-4-2）下安全地接受重复ESD冲击，而不会降低性能。此外，在极低的箝位电压μS波形浪涌电流（iec61000-4-5）下，每个二极管可以安全地耗散7a中的8/20。较小的封装尺寸可以节省PCB空间“” 详细参数...

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