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ESD器件

ESD器件供应厂家：常州鼎先电子有限公司深圳市方新电子有限公司上海雷卯电子科技有限公司

ESD器件相关分类：被动器件 / 电阻 / 贴片电阻 / 热敏电阻 / 插件电阻 / 电容 / 陶瓷电容 / 钽电容 /

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?ESD静电保护元件? SDA1101CDN 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

符合ESD IEC61000-4-2 ±15KV (空气)±8KV (触点)最高可满足ESD IEC61000-4-2 ±30KV (空气)±30KV (触点)应用：笔记本电脑,USB2.2电源数据线,机顶盒,SIM卡,手机,PDA,数码相机,便携式导航设备GPS,便携式医疗设备等便携式电子产品, 汽车倒车雷达影像详细参数...

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?ESD静电保护元件? ULC1128CDN 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

符合ESD IEC61000-4-2 ±15KV (空气)±8KV (触点)最高可满足ESD IEC61000-4-2 ±30KV (空气)±30KV (触点)应用：笔记本电脑,USB2.1电源数据线,机顶盒,SIM卡,手机,PDA,数码相机,便携式导航设备GPS,便携式医疗设备等便携式电子产品, 汽车倒车雷达影像详细参数...

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?ESD静电保护元件? ULC0542CDN 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

符合ESD IEC61000-4-2 ±15KV (空气)±8KV (触点)最高可满足ESD IEC61000-4-2 ±30KV (空气)±30KV (触点)应用：笔记本电脑,USB2.0电源数据线,机顶盒,SIM卡,手机,PDA,数码相机,便携式导航设备GPS,便携式医疗设备等便携式电子产品, 汽车倒车雷达影像详细参数...

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?ESD静电保护元件? ULC0521CDN 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

采用专有硅雪崩技术装配的齐纳二极管，保护每一输入/输出引脚，为可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高层次保护。该二极管功能强大，可安全收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）时反复性ESD震击，性能无任何降低。此外，每个二极管还可在很低的箝位电压下安全耗散7A的8/20μs波形浪涌电（IEC61000-4-29）。极小的封装尺寸可节省PCB空间详细参数...

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?ESD静电保护元件? PESD1621U005 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

采用专有硅雪崩技术装配的齐纳二极管，保护每一输入/输出引脚，为可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高层次保护。该二极管功能强大，可安全收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）时反复性ESD震击，性能无任何降低。此外，每个二极管还可在很低的箝位电压下安全耗散7A的8/20μs波形浪涌电（IEC61000-4-28）。极小的封装尺寸可节省PCB空间详细参数...

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?ESD静电保护元件? PESD1221U005 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

采用专有硅雪崩技术装配的齐纳二极管，保护每一输入/输出引脚，为可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高层次保护。该二极管功能强大，可安全收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）时反复性ESD震击，性能无任何降低。此外，每个二极管还可在很低的箝位电压下安全耗散7A的8/20μs波形浪涌电（IEC61000-4-27）。极小的封装尺寸可节省PCB空间详细参数...

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?ESD静电保护元件? PESD1821U005 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

采用专有硅雪崩技术装配的齐纳二极管，保护每一输入/输出引脚，为可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高层次保护。该二极管功能强大，可安全收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）时反复性ESD震击，性能无任何降低。此外，每个二极管还可在很低的箝位电压下安全耗散7A的8/20μs波形浪涌电（IEC61000-4-26）。极小的封装尺寸可节省PCB空间详细参数...

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?ESD静电保护元件? PESD11B8V0 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

采用专有硅雪崩技术装配的齐纳二极管，保护每一输入/输出引脚，为可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高层次保护。该二极管功能强大，可安全收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）时反复性ESD震击，性能无任何降低。此外，每个二极管还可在很低的箝位电压下安全耗散7A的8/20μs波形浪涌电（IEC61000-4-25）。极小的封装尺寸可节省PCB空间详细参数...

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?ESD静电保护元件? PESD0521U005 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

采用专有硅雪崩技术装配的齐纳二极管，保护每一输入/输出引脚，为可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高层次保护。该二极管功能强大，可安全收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）时反复性ESD震击，性能无任何降低。此外，每个二极管还可在很低的箝位电压下安全耗散7A的8/20μs波形浪涌电（IEC61000-4-24）。极小的封装尺寸可节省PCB空间详细参数...

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?ESD静电保护元件? PESD0521U080 上海雷卯电子科技有限公司 ESD器件

采用专有硅雪崩技术装配的齐纳二极管，保护每一输入/输出引脚，为可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高层次保护。该二极管功能强大，可安全收±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2）时反复性ESD震击，性能无任何降低。此外，每个二极管还可在很低的箝位电压下安全耗散7A的8/20μs波形浪涌电（IEC61000-4-23）。极小的封装尺寸可节省PCB空间详细参数...

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