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Update time：2023-04-10 16:36

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integrated circuit L89 R2.0 IRNSS

integrated circuit L89 R2.0 IRNSS

成都迈为创联科技有限公司 - Company profile Click Active device

Support for IRNSS GNSS module (AIS140 compliant)? Built in dual antenna: patch antenna for receiving L1 frequency band signals(18.4 mm × 18.4 mm × 4.0 mm), chip antenna for connectingReceive L5 frequency band signal? High sensitivity: -165 dBm @ Tracking? Default model rate: 9600 bps? Power supply voltage: 3 1-4.3 V, typical value 3.3 V View details 》

L89 R2.0 IRNSS
encapsulation：L89 R2.0 IRNSS
246
browsers：246
In production
cycle：In production
2021
time：2021
1.00
Reference price： 1.00

by Jihzx.com

Manufacturer
parameters
Data book

integrated circuit L89 R2.0 IRNSS Manufacturer introduction

integrated circuit L89 R2.0 IRNSS Data specification parameters

parameter list

technical parameter

? Ultra low power consumption:32 mA（GPS+Galileo+IRNSS）@ Tracking mode31 mA（GPS+Galileo+IRNSS）@ A

Package parameters

16-pin LCC packaging

Dimensions

26.4 mm ×18.4 mm ×6.8 mm

Meet the standard

? Support for AGNSS functionality? Multiple energy-saving modes: Standby mode/Backup mode? Support S

Other parameters

Product Atlas

integrated circuit L89 R2.0 IRNSS

integrated circuitalbum

Product overview

null

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integrated circuit L89 R2.0 IRNSS Related devices

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encapsulation

describe

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Bipolar transistor 2N3904

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

TO-92

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR601(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor 2N3903

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

TO-92

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR600(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor SS8550

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR599(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S9015

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S9012

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S8550

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor MMBTA92

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor MMBT5401

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor MMBT3906

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR593(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor MMBT2907A

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR592(uA)，CJ-(pF)

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