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Update time：2022-12-02 10:46

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车载MOSFET RSF015N06FRA

罗姆半导体（上海）有限公司 - Company profile Click MOSFETs

Drain-Source Voltage VDSS [V]60Drain Current ID [A]1.5RDS(on)[O] VGS=Drive (Typ.)0.255 View details 》

RSF015N06FRA
encapsulation：RSF015N06FRA
160
browsers：160
In production
cycle：In production
2021
time：2021
1.00
Reference price： 1.00

by Jihzx.com

Manufacturer
parameters
Data book

车载MOSFET RSF015N06FRA Manufacturer introduction

车载MOSFET RSF015N06FRA Data specification parameters

parameter list

technical parameter

SC-113A

Package parameters

SOT-323T

Dimensions

Meet the standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Other parameters

Product Atlas

车载MOSFETalbum

Product overview

null

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车载MOSFET RSF015N06FRA Data book

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车载MOSFET RSF015N06FRA Related devices

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model

manufacturer

Name

encapsulation

describe

Price

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silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]120

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]450

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]160

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]45

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]280

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]30

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]22

1.00

silicon carbide

罗姆半导体（上海）有限公司

MOSFETs

Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]17

1.00

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