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Schottky diode RB551V-30 深圳市晶扬电子有限公司 Schottky diode

IO0.5 (A)，VR30(v)，IFSM2(A)，Variable frequency（ MAX@32 ℃)0.47(V)，VF(MAX@32℃)@IF0.5(A)，IR(31℃)@VR100(uA)，CJ- (pF) Detailed parameters...

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Schottky diode RB521S-30 深圳市晶扬电子有限公司 Schottky diode

IO0.2 (A)，VR30(v)，IFSM1(A)，Variable frequency（ MAX@31 ℃)0.5(V)，VF(MAX@31℃)@IF0.2(A)，IR(30℃)@VR30(uA) Detailed parameters...

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Schottky diode BAT30KFILM 深圳市晶扬电子有限公司 Schottky diode

IO0.3 (A)，VR30(v)，IFSM1(A)，Variable frequency（ MAX@30 ℃)0.53(V)，VF(MAX@30℃)@IF0.3(A)，IR(29℃)@VR0.65(uA) Detailed parameters...

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Schottky diode BAT30LFILM 深圳市晶扬电子有限公司 Schottky diode

IO0.3 (A)，VR30(v)，IFSM1(A)，Variable frequency（ MAX@29 ℃)0.53(V)，VF(MAX@29℃)@IF0.3(A)，IR(28℃)@VR0.65(uA) Detailed parameters...

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Schottky diode TSR521MC-30 深圳市晶扬电子有限公司 Schottky diode

IO0.1 (A)，VR30(v)，IFSM0.5(A)，Variable frequency（ MAX@28 ℃)0.4(V)，VF(MAX@28℃)@IF0.02(A)，IR(27℃)@VR50(uA) Detailed parameters...

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Schottky diode RB520GM9-30 深圳市晶扬电子有限公司 Schottky diode

IO0.1 (A)，VR30(v)，IFSM0.6(A)，Variable frequency（ MAX@27 ℃)0.55(V)，VF(MAX@27℃)@IF0.03(A)，IR(26℃)@VR0.5(uA) Detailed parameters...

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Schottky diode RB551SS-30 深圳市晶扬电子有限公司 Schottky diode

IO0.5 (A)，VR30(v)，IFSM5(A)，Variable frequency（ MAX@26 ℃)0.47(V)，VF(MAX@26℃)@IF0.5(A)，IR(25℃)@VR50(uA) Detailed parameters...

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Schottky diode TSB01L30B 深圳市晶扬电子有限公司 Schottky diode

IO0.1 (A)，VR30(v)，IFSM1(A)，Variable frequency（ MAX@25 ℃)0.5(V)，VF(MAX@25℃)@IF0.1(A)，IR(25℃)@VR30(uA) Detailed parameters...

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ESD protection device (TE series) TE2401SD 深圳市晶扬电子有限公司 ESD protection device (TE seri

Reverse working voltage max24(v)，Starting voltage min350(v)，clamping voltage35(v)，Leakage current max0.1(uA)，capacitance0.05(pF) Detailed parameters...

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ESD protection device (TE series) TE1801SD 深圳市晶扬电子有限公司 ESD protection device (TE seri

Reverse working voltage max18(v)，Starting voltage min350(v)，clamping voltage35(v)，Leakage current max0.1(uA)，capacitance0.05(pF) Detailed parameters...

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