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Bipolar transistor JYBFT92J 深圳市晶扬电子有限公司 Bipolar transistor

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR581(uA)，CJ-(pF) Detailed parameters...

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Bipolar transistor MMBT3904W 深圳市晶扬电子有限公司 Bipolar transistor

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR580(uA)，CJ-(pF) Detailed parameters...

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Bipolar transistor MMBT3904J 深圳市晶扬电子有限公司 Bipolar transistor

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR579(uA)，CJ-(pF) Detailed parameters...

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Bipolar transistor MMBT3904F 深圳市晶扬电子有限公司 Bipolar transistor

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR578(uA)，CJ-(pF) Detailed parameters...

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Bipolar transistor MMBT2222AF 深圳市晶扬电子有限公司 Bipolar transistor

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR577(uA)，CJ-(pF) Detailed parameters...

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Bipolar transistor MMBT3904B 深圳市晶扬电子有限公司 Bipolar transistor

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR576(uA)，CJ-(pF) Detailed parameters...

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MOS (Field Effect Transistor) NDC7002N 广东友台半导体有限公司 MOS (Field Effect Transistor)

N-Channe VDS=50V ID=0.51 A(VGS=20V) RDS(ON)=1 Q Detailed parameters...

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MOS (Field Effect Transistor) 8205A 广东友台半导体有限公司 MOS (Field Effect Transistor)

N-Channe VDS=20V ID=5A (VGS=±12 V) RDS(ON)=22mQ Detailed parameters...

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MOS (Field Effect Transistor) BSS308PE 广东友台半导体有限公司 MOS (Field Effect Transistor)

P-Channel VDS=-30V ID=-2A(VGS=-10V) RDS(ON)&lt;80mQ Detailed parameters...

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MOS (Field Effect Transistor) BSS138 广东友台半导体有限公司 MOS (Field Effect Transistor)

N-Channe VDS=50V ID=300mA(VGS=±20V) RDS(ON)=2.5Q Detailed parameters...

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