【ESD protection diodeTT1201SBPDF Data book】_purchase-Integrating Chinese Chips

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parameters
Data book

ESD protection diode TT1201SB Manufacturer introduction

ESD protection diode TT1201SB Data specification parameters

parameter list

technical parameter

Reverse working voltage max12(v)，Starting voltage min14(v)，clamping voltage20(v)，Leakage current max1(uA)，capacitance0.35(pF)

Package parameters

DFN1006

Dimensions

Meet the standard

Other parameters

Product Atlas

ESD protection diodealbum

Product overview

null

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encapsulation

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

TO-92

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR601(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

TO-92

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR600(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR599(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR593(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR592(uA)，CJ-(pF)

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ESD protection diode TT1201SB

ESD protection diode TT1201SB Manufacturer introduction

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