【ESD_TVSLESD5Z5.0CT1GPDF Data book】_purchase-Integrating Chinese Chips

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ESD_TVS LESD5Z5.0CT1G Manufacturer introduction

ESD_TVS LESD5Z5.0CT1G Data specification parameters

parameter list

technical parameter

75W Peak Pulse Power (8/20 p s) Working voltages : 5V,Reverse Leakage Current 1 p A,ESD(Air discharge: ± 30kV, Contact discharge: ±30kV )

Package parameters

SOD-523

Dimensions

Meet the standard

Other parameters

Product Atlas

ESD_TVSalbum

Product overview

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

TO-92

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR601(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

TO-92

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR600(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR599(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR593(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR592(uA)，CJ-(pF)

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ESD_TVS LESD5Z5.0CT1G

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