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Update time：2023-04-10 16:36

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integrated circuit L96 GNSS

integrated circuit L96 GNSS

成都迈为创联科技有限公司 - Company profile Click Active device

GPS, GLONASS, BeiDou, Galileo (supports RLM)And QZSS? Built in omnidirectional Chip antenna? High sensitivity: -165 dBm @ Tracking? Default Baud Rate: 9600 bps? Power supply voltage: 2.8~4.3 V, typical value 3.3 V? Ultra low power consumption:20 mA (GLONASS+GPS) @ Tracking mode25 mA (GLONASS+GPS) @ Acquisition mode7 pA @ Backup mode? Built in LNA View details 》

L96 GNSS
encapsulation：L96 GNSS
213
browsers：213
In production
cycle：In production
2021
time：2021
1.00
Reference price： 1.00

by Jihzx.com

Manufacturer
parameters
Data book

integrated circuit L96 GNSS Manufacturer introduction

integrated circuit L96 GNSS Data specification parameters

parameter list

technical parameter

? AGNSS function: EASYTM/EPO? Multiple energy-saving modes: AlwaysLocalem/Periodic mode/Standby mode

Package parameters

31-pin LCC packaging

Dimensions

14.0mm ×9.6mm ×2.0 mm

Meet the standard

? Support SDK commands? Dual SAW filter

Other parameters

Product Atlas

integrated circuit L96 GNSS

integrated circuitalbum

Product overview

null

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integrated circuit L96 GNSS Related devices

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model

manufacturer

Name

encapsulation

describe

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Bipolar transistor 2N3904

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

TO-92

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR601(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor 2N3903

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

TO-92

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR600(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor SS8550

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR599(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S9015

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor S9012

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor S8550

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor MMBTA92

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor MMBT5401

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor MMBT3906

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR593(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor MMBT2907A

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR592(uA)，CJ-(pF)

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