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Update time：2023-04-10 16:36

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integrated circuit L26-LB GNSS

integrated circuit L26-LB GNSS

成都迈为创联科技有限公司 - Company profile Click Active device

? GPS, BeiDou, and QZSS? High sensitivity: -165 dBm @ Tracking? Default Baud Rate: 9600 bps? Power supply voltage: 2.8~4.3 V, typical value 3.3 V? Ultra low power consumption:28.0 mA (GPS+BeiDou) @ Tracking mode30.3 mA (GPS+BeiDou) @ Acquisition mode8.8 pA @ Backup mode View details 》

L26-LB GNSS
encapsulation：L26-LB GNSS
132
browsers：132
In production
cycle：In production
2021
time：2021
1.00
Reference price： 1.00

by Jihzx.com

Manufacturer
parameters
Data book

integrated circuit L26-LB GNSS Manufacturer introduction

integrated circuit L26-LB GNSS Data specification parameters

parameter list

technical parameter

? AGNSS function： EASYTM/ EPO ? built-in LNA ? Multiple energy-saving modes： Periodic mode/ St

Package parameters

24-pin LCC packaging

Dimensions

12.2 mm ×16.0 mm ×2.3 mm

Meet the standard

? Supports active antenna short-circuit protection and detection functions? Support SDK commands

Other parameters

Product Atlas

integrated circuit L26-LB GNSS

integrated circuitalbum

Product overview

null

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integrated circuit L26-LB GNSS Data book

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integrated circuit L26-LB GNSS Related devices

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encapsulation

describe

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Bipolar transistor 2N3904

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

TO-92

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR601(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor 2N3903

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

TO-92

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR600(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor SS8550

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR599(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor S9015

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR598(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor S9012

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR597(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor S8550

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR596(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor MMBTA92

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR595(uA)，CJ-(pF)

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Bipolar transistor MMBT5401

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR594(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor MMBT3906

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR593(uA)，CJ-(pF)

0.00

Bipolar transistor MMBT2907A

Bipolar transistor

深圳市晶扬电子有限公司

Bipolar transistor

SOT23

IO30 (A)，VR45(v)，IFSM380(A)，frequency conversion（MAX@228℃)0.55(V)，VF(MAX@229℃)@IF30(A)，IR(228℃)@VR592(uA)，CJ-(pF)

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