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Update time：2021-07-07 14:07
Index > Product > 上海光宇睿芯微电子有限公司 > MOSFETs > MOSFETs SESOT12C
MOSFETs SESOT12C

MOSFETs SESOT12C

上海光宇睿芯微电子有限公司 - Company profile Click MOSFETs
Operating Junction Temperature Range：-55~155（℃） View details 》
  • SESOT12C
    encapsulation：SESOT12C
  • 457
    browsers：457
  • In production
    cycle：In production
  • 2021
    time：2021
  • 1.00
    Reference price： 1.00
by Jihzx.com

MOSFETs SESOT12C Manufacturer introduction

供应商名称：上海光宇睿芯微电子有限公司

上海光宇睿芯微电子专业从事半导体过压保护器件，分立器件和特种集成电路的设计，研发与销售.是国内掌握半导体过压保护器件，分立器件和特种集成电路核心技术的供应商之一。公司产品品种多，覆盖范围广，已广泛应用于通讯系统的接口保护，手机及其他掌上数码产品，锂电池的过充过放保护，LED电源，开关电源以及太阳能电池转换盒等电子产品。

MOSFETs SESOT12C Data specification parameters

parameter list
technical parameter
Package parameters
SOT-23
Dimensions
Meet the standard
Other parameters
Product Atlas
MOSFETs SESOT12C
MOSFETsalbum
Product overview
View all

MOSFETs SESOT12C Data book

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MOSFETs SESOT12C Related devices

Device diagram
model
manufacturer
Name
encapsulation
describe
Price
PDF
silicon carbide S2206
silicon carbide
S2206
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]120
1.00
silicon carbide S2301
silicon carbide
S2301
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80
1.00
silicon carbide S2303
silicon carbide
S2303
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]80
1.00
silicon carbide S2305
silicon carbide
S2305
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]450
1.00
silicon carbide S2306
silicon carbide
S2306
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]160
1.00
silicon carbide S2307
silicon carbide
S2307
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]45
1.00
silicon carbide S2308
silicon carbide
S2308
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]1200Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]280
1.00
silicon carbide S4001
silicon carbide
S4001
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]30
1.00
silicon carbide S4002
silicon carbide
S4002
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]22
1.00
silicon carbide S4003
silicon carbide
S4003
罗姆半导体（上海）有限公司
MOSFETs
Drain-source Voltage[V]650Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]17
1.00
Tool

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